碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

在工業(yè)電子設(shè)備中，過(guò)壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流。可靠的工業(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路，以防止電源線路出現(xiàn)過(guò)壓，從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過(guò)壓現(xiàn)象可能在電源線路負(fù)載快速變化時(shí)發(fā)生，線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個(gè)問(wèn)題可通過(guò)輸入保護(hù)電路來(lái)解決，比如圖
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瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開(kāi)關(guān)性能?；谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)自行車(chē)、充電站、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。瑞薩開(kāi)發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極與源極之間的電阻）
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牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門(mén)極不加控制）（2）：說(shuō)明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門(mén)極加
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英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

英飛凌1992年開(kāi)始碳化硅技術(shù)研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導(dǎo)體公司之一。2001年推出世界上第一個(gè)商用碳化硅二極管，此后生產(chǎn)線不斷升級(jí)，2018年收購(gòu)德國(guó)Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術(shù)，2024年推出了集成.XT技術(shù)的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領(lǐng)碳化硅技術(shù)發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會(huì)，深入介紹了其在碳化硅功率器件產(chǎn)品及技術(shù)方面的進(jìn)展及其在工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的應(yīng)用和
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅能源工業(yè)設(shè)備

為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？

如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個(gè)1U機(jī)架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數(shù)據(jù)中心供電：從電網(wǎng)到GPU電源供應(yīng)器(PSU)還必須滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心行業(yè)的特定需求。人工智能數(shù)據(jù)中心的PSU應(yīng)滿(mǎn)足嚴(yán)格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范，要求30%到100
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 數(shù)據(jù)中心

30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過(guò)程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門(mén)的新能源汽車(chē)應(yīng)用，如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場(chǎng)多點(diǎn)開(kāi)花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團(tuán)隊(duì)從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)等多個(gè)維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
關(guān)鍵字：碳化硅零碳技術(shù) 英飛凌

英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過(guò)程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門(mén)的新能源汽車(chē)應(yīng)用，如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場(chǎng)多點(diǎn)開(kāi)花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團(tuán)隊(duì)從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)等多個(gè)維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
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格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)

12月18日消息，格力電器董事長(zhǎng)董明珠日前在《珍知酌見(jiàn)》欄目中表示，格力芯片成功了。據(jù)董明珠介紹，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計(jì)、自主制造到整個(gè)全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。據(jù)報(bào)道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項(xiàng)目于2022年12月開(kāi)始打樁建設(shè)，2023年4月開(kāi)始鋼結(jié)構(gòu)吊裝，當(dāng)年10月設(shè)備移入，12個(gè)月實(shí)現(xiàn)通線。項(xiàng)目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測(cè)工廠以及配套的半導(dǎo)體檢測(cè)中心和超級(jí)能源站。值得一提的是，該項(xiàng)目關(guān)鍵核心工藝國(guó)產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過(guò)70%，據(jù)稱(chēng)是全球第二組、亞洲第一座全自
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博世將獲美芯片補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)SiC半導(dǎo)體

據(jù)媒體報(bào)道，美國(guó)商務(wù)部13日宣布，已與德國(guó)汽車(chē)零部件供應(yīng)商博世達(dá)成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補(bǔ)貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計(jì)劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。此外，美國(guó)商務(wù)部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計(jì)劃于 2026 年開(kāi)始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計(jì)，該項(xiàng)目一旦全面投入運(yùn)營(yíng)，可能占美國(guó)SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē) 電源控制系統(tǒng)

●? ?意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全●? ?合作開(kāi)發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進(jìn)一步提高安培新一代電機(jī)的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應(yīng)鏈上游企業(yè)合作，為其每一項(xiàng)電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)設(shè)計(jì)最佳解決方案的策略雷諾集團(tuán)旗下純智能電動(dòng)汽車(chē)制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動(dòng)，雷諾集
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引入碳化硅技術(shù)，采埃孚在華第3家電驅(qū)動(dòng)工廠開(kāi)業(yè)

據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅(qū)動(dòng)工廠—采埃孚電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（沈陽(yáng)）有限公司近日開(kāi)業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅(qū)動(dòng)工廠，沈陽(yáng)工廠將生產(chǎn)和銷(xiāo)售新能源汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)橋三合一總成等產(chǎn)品。據(jù)介紹，沈陽(yáng)電驅(qū)動(dòng)工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車(chē)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機(jī)、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺(tái)持續(xù)升級(jí)，既可以提升安全等級(jí)又可以?xún)?yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國(guó)共有3家電驅(qū)動(dòng)工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動(dòng)技術(shù)（杭州）有限公司二期項(xiàng)目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏
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Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0
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意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。工業(yè)級(jí)晶體管STL300N4F8和車(chē)規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開(kāi)關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
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看完這篇，4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

今天教你4個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道　　為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。　要選擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓，以及
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

為了滿(mǎn)足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on
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